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本申請涉及電子裝置，且確切地說，涉及包封的微機電系統(tǒng)(mems)裝置。、微機電系統(tǒng)(mems)裝置將微型機械元件、傳感器、致動器和電子設(shè)備集成到單個硅襯底上。這些緊湊的系統(tǒng)(尺寸通常在微米到毫米的范圍內(nèi))使用微制造原理來創(chuàng)建功能裝置。mems技術(shù)在例如航空航天、醫(yī)療保健、電信和消費型電子設(shè)...

本發(fā)明涉及mems掃描鏡制備，尤其涉及一種mems掃描鏡的制備工藝。、目前，mems掃描鏡一般包括單軸掃描鏡和雙軸掃描鏡，雙軸mems掃描鏡相對單軸mems掃描鏡，功能上更具有優(yōu)勢，由于金屬走線的限制，pzt壓電雙軸mems掃描鏡一般為諧振式，扭轉(zhuǎn)梁相對較寬，剛度更大，可滿足走線的需求，無...

本發(fā)明涉及碳納米管基材料加工，尤其是涉及一種碳納米管功能器件及其制造方法。、碳納米管（cnt）作為一種具有優(yōu)異電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性質(zhì)的納米材料，已被廣泛應(yīng)用于各種高性能器件的制造中。然而，cnt基材料在加工過程中，表面質(zhì)量的控制與器件性能的提升一直是技術(shù)瓶頸，尤其是在表面粗糙度、界面缺陷等方...

本技術(shù)涉及硅應(yīng)變片生產(chǎn)，尤其涉及一種硅mems應(yīng)變片腐蝕減薄裝置。、硅應(yīng)變片腐蝕減薄裝置是一種用于將硅應(yīng)變片表面材料去除，實現(xiàn)減薄的設(shè)備。這種裝置在半導(dǎo)體制造、硅片、光學(xué)材料加工、薄膜材料制備等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，硅應(yīng)變片腐蝕減薄可以采用機械減薄和化學(xué)減薄兩種方法。、機械減薄是指通過物理方...

本技術(shù)涉及芯片封裝的，特別涉及一種mems芯片的封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。、隨技術(shù)的不斷迭代進步，mems傳感器芯片尺寸越來越小，芯片做小的優(yōu)勢是可降低生產(chǎn)成本。、然而，芯片做小的同時，芯片的背腔尺寸也同樣縮小。一方面，當(dāng)背腔尺寸減小時，空氣的流動受到限制，空氣阻尼作用增大，這會導(dǎo)致傳感器的振動...

本公開涉及具有改善的外部流體耦合的微機電傳感器及其制造工藝。、環(huán)境量傳感器，諸如mems(微機電)氣壓傳感器、濕度傳感器、氣體和化學(xué)檢測器和傳感器以及流量傳感器，通常包括感測元件，感測元件被封裝在外殼中并且通過外殼中的一個或多個入口孔以及內(nèi)部流體路徑被連接到外部環(huán)境，以接收待被測量的量。在...

本申請涉及振鏡，尤其涉及一種mems微鏡、光學(xué)裝置及終端設(shè)備。、振鏡的振動頻率影響成像的分辨率，相關(guān)技術(shù)中振鏡的振動頻率較低，導(dǎo)致掃描速度較低或成像分辨率較低。技術(shù)實現(xiàn)思路、本申請?zhí)峁┮环Nmems微鏡、光學(xué)裝置及終端設(shè)備，能夠提高成像的分辨率。、第一方面，本申請?zhí)峁┮环Nmems微鏡，所述m...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種lift-off制程中改善金屬膜圖形異常的方法及芯片結(jié)構(gòu)。、微機電系統(tǒng)(mems)器件的制造融合了微電子技術(shù)與微機械加工，過程中需要對功能層表面進行金屬圖形化覆蓋，并堆疊多種結(jié)構(gòu)層，實現(xiàn)壓力、機械振動、加速度等物理信號向電信號的轉(zhuǎn)換和處理，從...

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體為一種傳感器芯片。、隨著技術(shù)的不斷迭代進步，mems(微機電系統(tǒng))傳感器芯片的尺寸逐漸縮小，將芯片做小的優(yōu)勢是能夠降低生產(chǎn)成本；但芯片尺寸做小的同時，膜層結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的應(yīng)力對膜層的影響越發(fā)明顯。例如，當(dāng)膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計成多邊形結(jié)構(gòu)時，應(yīng)力會集中在多邊形結(jié)構(gòu)中各個角的位置；若...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種半導(dǎo)體器件。、mems（微機電系統(tǒng)）芯片的大致結(jié)構(gòu)是基于硅晶片上沉積各種功能層材料，最終通過背部刻蝕(drie)的方式，使得mems芯片薄膜得以成型。該過程即深硅刻蝕過程，將原本沉積在硅上方的各種功能層保留，下方的硅襯底刻蝕掉。一般來說，刻蝕掉的硅上方是成型的...

本發(fā)明涉及一種減小過載沖擊力的方法、mems微結(jié)構(gòu)及mems器件，屬于mems微結(jié)構(gòu)。、mems器件與其它電子器件有諸多不同之處，其中mems器件有很多可動微結(jié)構(gòu)，如各種彈性支撐梁、梳齒、敏感質(zhì)量塊等微結(jié)構(gòu)。這些微結(jié)構(gòu)在過載沖擊的情況下，易受到破壞，尤其彈性支撐梁對應(yīng)力非常敏感，在振動和沖...

本申請涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mems器件、懸臂梁結(jié)構(gòu)及其制備方法。、微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?systems，mems)壓電懸臂梁作為mems器件和系統(tǒng)中關(guān)鍵的基本結(jié)構(gòu)，可以用于開關(guān)、諧振器、傳感器等。從結(jié)構(gòu)上看，請參照圖，mems壓電懸臂梁的一...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，具體涉及一種zr基薄膜吸氣劑激活特性的簡易標(biāo)定方法。、在mems制造過程中，器件內(nèi)部不可避免地會引入多種氣體。這些氣體的存在可能會對mems器件的性能和可靠性產(chǎn)生不利影響。為了維持器件封裝后的真空度，保障其正常工作，吸氣劑的使用變得至關(guān)重要。吸氣劑能夠吸收真空器件中的...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。、mems(micro-electro-mechanical?system，微機電系統(tǒng))傳感器的核心器件一般通過較小尺寸深溝槽刻蝕工藝形成，刻蝕到犧牲層，然后通過干法或濕法釋放技術(shù)去除其下面的犧牲層，使功能層(一般包括梳齒結(jié)構(gòu)、質(zhì)量塊等...

本公開涉及半導(dǎo)體mems結(jié)構(gòu)及其形成方法。、微機電系統(tǒng)(mems)是一種將小型化的機械和機電元件集成在集成芯片上的技術(shù)。通常使用微制造技術(shù)制作mems器件。近年來，mems器件已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用。例如，mems器件在手持設(shè)備(例如，加速度計、陀螺儀、數(shù)字羅盤)、壓力傳感器(例如，碰撞傳感...

本發(fā)明涉及mems紅外光源，特指一種具有優(yōu)異長期可靠性的mems紅外光源及其制造方法。、mems紅外光源是近年來迅速發(fā)展的一種新型紅外輻射器件，它利用mems技術(shù)將微型加熱元件與光學(xué)結(jié)構(gòu)集成在硅基芯片上，通過電熱效應(yīng)產(chǎn)生高精度、可控的紅外輻射。相比傳統(tǒng)紅外光源（如鎢絲燈、激光二極管或熱輻射...

本申請涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地說，是涉及一種多維度傳感器及其制備方法。、隨著時代的變遷，傳感器在各種應(yīng)用場景中被越來越多的使用，如已被應(yīng)用在自動駕駛汽車、掃地機器人等產(chǎn)品上，但單一傳感器在很多領(lǐng)域因其物理原理的局限性，難以全面感知復(fù)雜環(huán)境或目標(biāo)，容易受到不確定性因素的影響，從而導(dǎo)致系統(tǒng)感...

本發(fā)明關(guān)于微機電(micro?electro?mechanical?system,mems)封裝，特別是關(guān)于包含不同微機電元件的微機電封裝及其制造方法，這些微機電元件具有不同的元件層厚度和不同的電極間隙。、微機電(mems)元件是整合機械和電性組件的微型元件，以感測物理量和/或與周圍環(huán)境交...

示例涉及半導(dǎo)體器件、微機電系統(tǒng)和方法。、使用可偏轉(zhuǎn)膜的微機電結(jié)構(gòu)(mems)可以被實現(xiàn)用于多種用例，諸如麥克風(fēng)、揚聲器、壓力傳感器等。為了防止膜結(jié)構(gòu)和與膜相鄰的另一結(jié)構(gòu)之間的粘附，可以在膜結(jié)構(gòu)與另一結(jié)構(gòu)之間布置防粘元件。然而，在防粘元件的功能性與mems系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)完整性之間存在權(quán)衡。例如，...

本申請涉及聲學(xué)傳感器，具體而言，涉及一種聲學(xué)器件及其制備方法。、基于mems（微機電系統(tǒng)）技術(shù)的壓電器件是一種極具發(fā)展?jié)摿Φ南冗M聲學(xué)傳感器，憑借其低功耗、快速響應(yīng)、高可靠性等諸多突出優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，并呈現(xiàn)出迅猛發(fā)展的態(tài)勢。該壓電器件主要由支撐體和設(shè)置在其上的振膜組成。其工作...